Среда, 19.12.2018, 19:23


Главная Регистрация Вход
Приветствую Вас, Гость · RSS
Главное меню

Главная

Гороскоп
Детские стихи
Женская жизнь
Киевский регион
Киномир
Криминал
Кулинария
Медицина
Здоровье
Музыка и шоубизнес
Наука и образование
Нежин
Обуховские новости
Полезно знать
Происшествия
Психология
Политика и другое
Развлечения
Спорт
Тесты, программы
Технологии
Техника
Экономика
Это интересно
Юмор
Видео

Визитка сайта

Каталог файлов

Каталог статей

Блог

Фотоальбомы

Форум

Гостевая книга

Каталог сайтов

Обратная связь

 
Информеры

Погода в Обухове на неделю


Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0



Рейтинг@Mail.ru
МЕТА - Украина. Рейтинг сайтов

 
Отправка SMS
Отправить SMS бесплатно
 
Архив записей
 
 
Главная » 2010 » Декабрь » 9 » Samsung Electronics разрабатывает модуль памяти с двухрядным расположением выводов
Samsung Electronics разрабатывает модуль памяти с двухрядным расположением выводов
17:17

Samsung Electronics объявила о разработке модуля памяти с двухрядным расположением выводов на основе передовой технологии Green DDR3 DRAM.


Новый модуль памяти обеспечивает высокую производительность, в частности благодаря использованию метода трехмерной упаковки чипов под названием «сквозное вертикальное соединение» (through silicon via, TSV). Эта технология позволяет решить, казалось бы, взаимоисключающие задачи — снижение энергопотребления серверов при одновременном увеличении объема памяти и повышении производительности.

Согласно технологии TSV, в кристалле кремния проделываются вертикальные отверстия, которые затем заполняются медью. Заменив традиционные проводные соединения сквозными вертикальными соединениями, можно сделать сигнальные линии существенно короче, а многоуровневая микросхема станет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом.

Модуль памяти RDIMM емкостью 8 ГБ, использующий технологию Samsung 3D TSV, дает возможность экономить до 40% энергии по сравнению с обычными микросхемами RDIMM. Кроме того, обеспечивается кардинальное увеличение емкости чипов, что позволит сократить количество разъемов для модулей оперативной памяти в серверных системах следующего поколения. Технология TSV позволит повысить емкость модулей оперативной памяти более чем на 50%, что делает ее привлекательной для высокопроизводительных серверных систем.

С 2012 года технология 3D TSV получит все более широкое распространение. Samsung планирует внедрить энергоэффективную и высокопроизводительную технологию TSV в микросхемах, выполняемых по технологическим нормам класса 30 нм и менее.

Источник


Категория: Технологии | Просмотров: 529 | Добавил: ayverso | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0
avatar
Copyright Ayverso© 2018
Поиск
Поиск на сайте


1

Категории
Детские стихи [9]
Кулинария [256]
Спорт [357]
Музыка и шоубизнес [367]
Наука и образование [983]
Технологии [507]
Это интересно [1150]
Здоровье [130]
Юмор [56]
Полезно знать [741]
Политика и другое [553]
Гороскоп [51]
Киномир [141]
Криминал [2]
Происшествия [356]
Экономика [481]
Женская жизнь [415]
Медицина [660]
Киевский регион [412]
Психология [169]
Развлечения [26]
Обуховские новости [276]
Тесты, программы [284]
Техника [156]
Нежин [74]
Календарь
«  Декабрь 2010  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031
Ссылки

Обухівський РВК
Підгірцівська ЗОШ І-ІІІ ст.
Підгірцівська ЗОШ І-ІІІ ст.
Дерев`янська ЗОШ І-ІІ cт.Дерев`янська ЗОШ І-ІІ ст.
Обухівський НВК №1 ім. А.С.Малишка
НВК "СЗОШ-ЗОШ І-ІІІ ст. №1 ім. А. С. Малишка"
Офіційний сайт Обухова
Офіційний сайт Обухова

Обухівський медколедж
Обухівська РДА
Обухівська РДА
Офіційний сайт Українки
Офіційний сайт Українки
Інформаційний портал Обухова
Інформаційний портал Обухова
Форум
Форум "Бард”
Дитячий садочок
Дитячий садочок "Зірочка”
ДНЗ
Дитячий садок «Рушничок»
Парк
Парк "Київська Русь”
Ресторан
Ресторан "Зелена гора”