Пятница, 28.02.2020, 21:57


Главная Регистрация Вход
Приветствую Вас, Гость · RSS
Главное меню

Главная

Гороскоп
Детские стихи
Женская жизнь
Киевский регион
Киномир
Криминал
Кулинария
Медицина
Здоровье
Музыка и шоубизнес
Наука и образование
Нежин
Обуховские новости
Полезно знать
Происшествия
Психология
Политика и другое
Развлечения
Спорт
Тесты, программы
Технологии
Техника
Экономика
Это интересно
Юмор
Видео

Визитка сайта

Каталог файлов

Каталог статей

Блог

Фотоальбомы

Форум

Гостевая книга

Каталог сайтов

Обратная связь

 
Информеры

Погода в Обухове на неделю


Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0



Рейтинг@Mail.ru
МЕТА - Украина. Рейтинг сайтов

 
Отправка SMS
Отправить SMS бесплатно
 
Архив записей
 
 
Главная » 2010 » Декабрь » 9 » Samsung Electronics разрабатывает модуль памяти с двухрядным расположением выводов
Samsung Electronics разрабатывает модуль памяти с двухрядным расположением выводов
17:17

Samsung Electronics объявила о разработке модуля памяти с двухрядным расположением выводов на основе передовой технологии Green DDR3 DRAM.


Новый модуль памяти обеспечивает высокую производительность, в частности благодаря использованию метода трехмерной упаковки чипов под названием «сквозное вертикальное соединение» (through silicon via, TSV). Эта технология позволяет решить, казалось бы, взаимоисключающие задачи — снижение энергопотребления серверов при одновременном увеличении объема памяти и повышении производительности.

Согласно технологии TSV, в кристалле кремния проделываются вертикальные отверстия, которые затем заполняются медью. Заменив традиционные проводные соединения сквозными вертикальными соединениями, можно сделать сигнальные линии существенно короче, а многоуровневая микросхема станет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом.

Модуль памяти RDIMM емкостью 8 ГБ, использующий технологию Samsung 3D TSV, дает возможность экономить до 40% энергии по сравнению с обычными микросхемами RDIMM. Кроме того, обеспечивается кардинальное увеличение емкости чипов, что позволит сократить количество разъемов для модулей оперативной памяти в серверных системах следующего поколения. Технология TSV позволит повысить емкость модулей оперативной памяти более чем на 50%, что делает ее привлекательной для высокопроизводительных серверных систем.

С 2012 года технология 3D TSV получит все более широкое распространение. Samsung планирует внедрить энергоэффективную и высокопроизводительную технологию TSV в микросхемах, выполняемых по технологическим нормам класса 30 нм и менее.

Источник


Категория: Технологии | Просмотров: 617 | Добавил: ayverso | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0
avatar
Copyright Ayverso© 2020
Поиск
Поиск на сайте


1

Категории
Детские стихи [9]
Кулинария [258]
Спорт [357]
Музыка и шоубизнес [367]
Наука и образование [983]
Технологии [508]
Это интересно [1151]
Здоровье [133]
Юмор [56]
Полезно знать [745]
Политика и другое [554]
Гороскоп [51]
Киномир [141]
Криминал [2]
Происшествия [356]
Экономика [481]
Женская жизнь [417]
Медицина [660]
Киевский регион [412]
Психология [171]
Развлечения [26]
Обуховские новости [283]
Тесты, программы [284]
Техника [157]
Нежин [74]
Календарь
«  Декабрь 2010  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031
Поиск
Міністерство освіти і науки України

Департамент освіти Київської ОДА

Академія неперервної освіти

Освітній портал 'Педпреса'

Український центр оцінювання якості освіти України


Управління освіти Обухова

Управління освіти м.Обухова

Підгірцівська ЗОШ І-ІІІ ст.

Підгірцівська ЗОШ І-ІІІ ст.

Обухівський медколедж
Дерев`янська ЗОШ І-ІІ cт.
Дерев`янська ЗОШ І-ІІ ст.
Офіційний сайт Обухова
Офіційний сайт Обухова
Обухівська РДА
Обухівська РДА
Офіційний сайт Українки
Офіційний сайт Українки

Освіта в Україні і за кордоном
Освіта в Україні і за кордоном
Філологічний експрес
Філологічний експрес
Освітній портал
Освітній портал
Євро освіта
ЄвроОсвіта