Samsung Electronics объявила о разработке модуля памяти с двухрядным расположением выводов на основе передовой технологии Green DDR3 DRAM.

Новый модуль памяти обеспечивает высокую производительность, в частности благодаря использованию метода трехмерной упаковки чипов под названием «сквозное вертикальное соединение» (through silicon via, TSV). Эта технология позволяет решить, казалось бы, взаимоисключающие задачи — снижение энергопотребления серверов при одновременном увеличении объема памяти и повышении производительности.

Согласно технологии TSV, в кристалле кремния проделываются вертикальные отверстия, которые затем заполняются медью. Заменив традиционные проводные соединения сквозными вертикальными соединениями, можно сделать сигнальные линии существенно короче, а многоуровневая микросхема станет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом.

Модуль памяти RDIMM емкостью 8 ГБ, использующий технологию Samsung 3D TSV, дает возможность экономить до 40% энергии по сравнению с обычными микросхемами RDIMM. Кроме того, обеспечивается кардинальное увеличение емкости чипов, что позволит сократить количество разъемов для модулей оперативной памяти в серверных системах следующего поколения. Технология TSV позволит повысить емкость модулей оперативной памяти более чем на 50%, что делает ее привлекательной для высокопроизводительных серверных систем.

С 2012 года технология 3D TSV получит все более широкое распространение. Samsung планирует внедрить энергоэффективную и высокопроизводительную технологию TSV в микросхемах, выполняемых по технологическим нормам класса 30 нм и менее.

Источник